9月20日消息，国家知识产权局信息显示，江苏应能微电子股份有限公司申请一项名为“一种基于路径解耦与电场耦合触发的瞬态电压抑制器及其制造方法”的专利，授权公告号CN122514039B，授权公告日为2026年9月18日。申请公布号为CN122514039A，申请号为CN202610999308.4，申请公布日期为2026年9月18日，申请日期为2026年7月7日，发明人朱伟东、赵泊然股票配资平台推荐哪家，专利代理机构无锡市兴为专利代理事务所（特殊普通合伙），专利代理师屠志力，分类号H10D89/60。
专利摘要显示，本发明提供一种基于路径解耦与电场耦合触发的瞬态电压抑制器及其制造方法；瞬态电压抑制器包括至少一个器件单元；所述器件单元包括第一电极和第二电极、触发单元、主导通单元、耦合单元；触发单元包括第二导电类型高掺杂区和第一导电类型高掺杂区；第二导电类型高掺杂区与第一导电类型低掺杂漂移区之间形成局部PN结区域，第一导电类型高掺杂区设置于耦合介质层之上；当局部PN结区域发生雪崩击穿时，通过耦合介质层形成位移电流并耦合至主导通单元，从而触发主导通单元形成纵向低阻主导通路径；主导通单元在静态偏置条件下处于高阻状态，使器件静态等效结电容主要由局部PN结区域决定，从而兼顾低结电容、低动态电阻及高浪涌电流承载能力。
天眼查数据显示，江苏应能微电子股份有限公司成立日期2012年3月22日，法定代表人ZHUPHILLIPWEIDONG，所属行业为软件和信息技术服务业，企业规模为小型，注册资本4286.5339万人民币，实缴资本4286.5339万人民币，注册地址为常州市天宁区创智路5号4号楼（8层、9层）。江苏应能微电子股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目17次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息129条，拥有行政许可11个。
南京配资公司江苏应能微电子股份有限公司近期专利情况如下：
元股证券:ygzq.hk序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种基于空间去耦与触发阱调制的纵向TVS及其制造方法发明专利公布CN202611216756.92026-08-12CN122765983A2026-09-15朱伟东、赵泊然2一种超薄晶圆CSP功率器件的封装结构及制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611123339.X2026-07-28CN122641339A2026-08-25朱伟东、赵泊然3深沟槽MIS集成高频电磁干扰耦合旁路TVS器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611050815.X2026-07-15CN122555231A2026-08-11朱伟东、赵泊然4一种高浪涌密度TVS器件及制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611047466.62026-07-15CN122555230A2026-08-11朱伟东、赵泊然5一种基于路径解耦与电场耦合触发的瞬态电压抑制器及其制造方法发明专利授权CN202610999308.42026-07-07CN122514039B2026-09-18朱伟东、赵泊然6一种局部电场增强型静电放电保护结构及其制造方法发明专利授权CN202610893951.92026-06-22CN122421770B2026-09-18朱伟东、赵泊然7一种基于基区电阻调制的低触发电压瞬态电压抑制器及其制造方法发明专利授权CN202610873130.92026-06-17CN122395965B2026-08-21朱伟东、赵泊然8一种碳化硅高压瞬态电压抑制器件及其制造方法发明专利授权CN202610815337.02026-06-08CN122340831B2026-09-04朱伟东、赵泊然9一种高浪涌能力的沟槽势垒肖特基器件及其制备方法发明专利授权CN202610693592.22026-05-20CN122248745B2026-08-21朱伟东、赵泊然10一种体区电导调制主导导通的双向瞬态电压抑制器结构发明专利公布CN202610612902.32026-05-07CN122497086A2026-07-31朱伟东、赵泊然11一种低动态电阻高浪涌能力的双向瞬态电压抑制器发明专利授权CN202610461489.52026-04-09CN121985590B2026-06-30朱伟东、赵泊然12一种微型单体封装电子保护结构及其制造方法发明专利授权CN202610352324.42026-03-23CN121925156B2026-06-19朱伟东、赵泊然13纵向SCR型瞬态过压保护器件发明专利授权CN202610313890.42026-03-16CN121888620B2026-05-26朱伟东、赵泊然14一种基于深沟槽隔离的单芯片双向低电容TVS器件及其制造方法发明专利授权CN202610296786.92026-03-12CN121843143B2026-05-22朱伟东、赵泊然15一种沟槽式功率MOSFET及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610206231.02026-02-12CN122121202A2026-05-29李振道、孙明光、朱伟东16适用中高压的沟槽式功率金氧半场效晶体管及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610184357.22026-02-09CN122121212A2026-05-29李振道、孙明光、朱伟东17一种屏蔽栅沟槽功率MOSFET及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511876860.62025-12-12CN121728802A2026-03-24李振道、孙明光、朱伟东18用于ESD防护的多电流通路双向SCR器件发明专利授权CN202511309274.32025-09-15CN120812966B2025-11-18朱伟东、赵泊然19一种改善开关损耗的沟槽式MOSFET器件发明专利实质审查的生效、公布CN202510796831.22025-06-16CN120321986A2025-07-15李振道、孙明光、朱伟东20一种沟槽式功率金氧半场效晶体管及其制备工艺发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510774266.X2025-06-11CN120282541B2025-08-26李振道、孙明光、朱伟东21用于防护雷击的压敏电阻夹层模组集成结构发明专利授权CN202510592406.12025-05-09CN120417465B2026-02-17朱伟东、赵泊然22一种ESD加固的LDMOS器件及其制备方法发明专利授权、公布CN202411329890.02024-09-24CN118841450B2024-12-17孙明光、李振道、朱伟东23一种自适应超结LDMOS结构发明专利授权、公布CN202411081577.X2024-08-08CN118782654B2025-04-08孙明光、李振道、朱伟东24一种用于抗闩锁的高压ESD保护器件发明专利授权、公布CN202410982344.02024-07-22CN118522769B2024-10-01朱伟东、赵泊然25用于ESD防护的高掺杂多晶硅器件与工艺发明专利授权、公布CN202410718845.82024-06-05CN118299408B2024-08-02朱伟东、赵泊然26用于ESD防护的双模灵敏检测瞬态触发电路发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202410480761.52024-04-22CN118074085A2024-05-24朱伟东、赵泊然27一种屏蔽闸沟槽式功率金属氧化物半导体制备方法及器件发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202410239174.72024-03-04CN117832093B2024-05-10李振道、孙明光、朱伟东28一种自适应超结沟槽式MOSFET器件及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202311401481.22023-10-26CN117133791B2024-01-26孙明光、李振道、朱伟东29双齐纳阱SCR器件、制造工艺及其堆叠结构发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202311282644.X2023-10-07CN117038720B2024-01-26朱伟东、赵泊然30具有三重resurf结构的分离栅沟槽MOS器件及工艺发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202311083616.52023-08-28CN116799070B2023-11-17孙明光、李振道、朱伟东31一种集成ESD保护器件的分离栅沟槽MOS器件及工艺发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202311076280.X2023-08-25CN116825850B2023-11-17孙明光、李振道、朱伟东32开关电源导通时间控制电路、方法和开关电源发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310912685.62023-07-25CN116647098B2023-10-03李征、赵泊然、朱伟东33一种超低电容双向SCR-TVS器件发明专利实质审查的生效、公布CN202310862496.22023-07-14CN116598309A2023-08-15朱伟东、赵泊然34一种垂直型双向SCR低电容TVS器件发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310862502.42023-07-14CN116581122B2023-09-12朱伟东、赵泊然35具有闸源端夹止结构的沟槽式功率MOSFET器件及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310816523.22023-07-05CN116525663B2023-09-12李振道、孙明光、朱伟东、赵泊然36一种三维超结LDMOS结构及其制作方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202310793099.42023-06-30CN116525655A2023-08-01孙明光、李振道、朱伟东、赵泊然37加强型屏蔽闸沟槽式功率金氧半场效晶体管实用新型授权CN202321650322.12023-06-27CN220106545U2023-11-28李振道、孙明光、朱伟东、赵泊然38电机转子角度信息识别方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202310670645.52023-06-08CN116404916A2023-07-07曹元、朱伟东、吴琦39内置ESD保护二极管的SGT器件及其制作方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310594164.02023-05-25CN116314341B2023-08-08朱伟东、赵泊然、李振道、孙明光40一种屏蔽闸沟槽式功率金属氧化物半导体制作方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310540946.62023-05-15CN116259544B2023-08-08李振道、孙明光、朱伟东、赵泊然41开关变换器控制电路、控制方法及电源设备发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310524618.72023-05-11CN116247908B2023-07-28李征、赵泊然、朱伟东42电源设备及用于电源芯片的工作模式配置电路发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310505858.22023-05-08CN116247933B2023-07-25李征、赵泊然、朱伟东43一种基于Resurf效应的屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制备方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202310385852.62023-04-12CN116110944A2023-05-12朱伟东、赵泊然、孙明光、李振道44一种低寄生电容焊盘发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202310385849.42023-04-12CN116110872A2023-05-12朱伟东、赵泊然45一种栅控Resurf高压LDMOS结构发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310376829.02023-04-11CN116110955B2023-06-27朱伟东、赵泊然、孙明光、李振道46一种分段式分离栅SGTMOSFET结构发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310381286.12023-04-11CN116093146B2024-02-20朱伟东、赵泊然、孙明光、李振道47具有高维持电压的低电容双向SCR瞬态抑制器件发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310371412.52023-04-10CN116093153B2023-07-21朱伟东、赵泊然48一种电压钳位组合器件发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202310343608.32023-04-03CN116093912A2023-05-09朱伟东、赵泊然49碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法发明专利授权、著录事项变更、实质审查的生效、公布CN202211118851.72022-09-15CN115440822B2023-08-22李振道、孙明光50碳化硅半导体场效晶体管的栅源极保护结构及制备方法发明专利授权、著录事项变更、实质审查的生效、公布CN202211081391.52022-09-06CN115172457B2024-05-03李振道、孙明光股票配资平台推荐哪家
股票配资网提示：本文来自互联网，不代表本网站观点。
相关文章
大盘行情指数走势
热点资讯